【产通社，12月18日讯】安森美公司（ON Semiconductor Corporation；NASDAQ股票代码：ON）官网消息，其新的600V SUPERFET?V MOSFET系列使电源能满足严苛的能效规定，如80 PLUS Titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600V SUPERFET系列下的三个产品组--FAST、Easy Drive和FRFET经过优化，可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。


安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理Asif Jakwani说：“80 Plus Titanium认证以应对气候变化为目标，要求服务器和数据存储硬件在10%负载条件下的电源能效水平达90%，在处理50%负载时的能效达96%。我们的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在满足这些要求，提供强固的方案，确保持续的系统可靠性。”


产品特点


600V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声，从而降低电磁干扰（EMI）--这对服务器和 电信系统是个显著的好处。此外，强固的体二极管和较高的VGSS（DC+/-30V）增强了系统可靠性。

FAST版本在硬开关拓扑结构（如高端PFC）中提供极高能效，并经过优化以提供更低的门极电荷（Qg）和EOSS损耗，实现快速开关。该版本的最初器件包括 NTNL041N60S5H（41mΩ RDS（on））和NTHL185N60S5H（185mΩ RDS（on）），都采用TO-247封装。NTP185N60S5H则采用TO-220封装，NTMT185N60S5H采用8.0×8.0×1.0mm的Power88封装，保证达到湿度敏感等级MSL 1，并具有开尔文（Kelvin）源架构以改善门极噪声和开关损耗。

Easy Drive版本适用于硬开关和软开关拓扑结构，包含一个内置门极电阻（Rg）及经优化的内置电容。它们适用于许多应用中的一般用途，包括PFC和LLC。在这些器件中，门极和源极之间的内置齐纳二极管的RDS（on）超过120mΩ，对门极氧化物的应力更小，ESD耐用性更高，从而提高封装产量，降低不良率。目前供应的两款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS（on）为99mΩ和120mΩ，均采用TO-247封装。


供货与报价


快速恢复（FRFET）版本适用于软开关拓扑结构，如移相全桥（PSFB）和LLC。它们的优势是快速体二极管，并提供降低的Qrr和Trr。强固的二极管耐用性确保更高的系统可靠性。内置齐纳二极管的 NTP125N60S5FZ的RDS（on）为125mΩ，采用TO-220封装，而NTMT061N60S5F的RDS（on）为61mΩ，采用Power88封装。损耗最低的器件是NTHL019N60S5F，RDS（on）仅19mΩ，采用TO-247封装。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.onsemi.cn。（Donna Zhang，张底剪报）    （完）