【产通社，12月17日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官网消息，其已开始量产压装式注入增强型栅极晶体管（IEGT）ST2000GXH32，这款晶体管采用沟槽型IEGT芯片和新开发的用于高压转换器的高速二极管芯片。产品集电极-发射极电压额定值为4500V，集电极电流（DC）额定值为2000A，应用于直流电力传输、静态无功补偿器、工业电机驱动等。


产品特点


二极管的阴极结构抑制反向恢复过程中的电压振荡，提高反向恢复容限。新开发的电压阻断结构提高二极管高温耐压能力。与东芝现有产品[1]相比，新产品ST2000GXH32可抑制小反向恢复电流时的电压振荡，因此可使用小型栅极驱动电阻（RG(on)），开通损耗（Eon）从12.0J下降至8.4J（典型值），大约降低30%。

此外，改进后的阴极反向恢复峰值功率提高约29%。同时，由于提升了二极管耐高温性，ST2000GXH32结温额定值（Tj）从125°C提高到150°C(最大值)。

ST2000GXH32适用于直流电力传输、静态无功(VAR)补偿器、电机驱动逆变器和转换器等高压工业设备小型化和节能。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/company/news.html。（张怡，产通发布）    （完）