【产通社，10月28日讯】意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）官网消息，其STPOWER MDmesh K6新系列超级结晶体管改进多个关键参数，最大限度减少系统功率损耗，特别适合基于反激式拓扑的照明应用，例如，LED驱动器、HID灯，还是适用于电源适配器和平板显示器的电源。

意大利固态照明创新企业TCI的首席技术官、研发经理Luca Colombo表示，“我们已经测评了新的超结超高压MDmesh K6系列的样片，并注意到其出色的Rdson面积和总栅极电荷（Qg）性能特点，给我们印象深刻。”


产品特点


800V STPOWER MDmesh K6系列，为这种超级结晶体管技术树立了高性能和易用性兼备的标杆。MDmesh K6的RDS（on）x面积参数在市场上现有800V产品中处于领先水平，能够实现紧凑的集高功率密度与市场领先的能效于一身新的新设计。

此外，K6系列的阈压比上一代MDmesh K5更低，可使用更低的电压驱动，从而降低功耗并提高能效，主要用于零功耗待机应用。总栅极电荷（Qg）也非常低，可以实现高开关速度和低损耗。

芯片上集成一个ESD保护二极管，将MOSFET的整体鲁棒性提高到人体模型（HBM） 2级。


供货与报价


采用TO-220通孔封装的STP80N240K6（RDS（on）max = 0.22?, Qgtyp = 25.9nC）是首批量产的MDmesh K6 MOSFET，ST eSTore网上商店现已提供免费样片。DPAK和TO-220FP版本将于2022年1月前量产。订购1000件，单价1.013美元起。

意法半导体将于2022年前推出MDmesh K6的完整产品组合，将导通电阻RDS（on）范围从0.22Ω扩大到4.5Ω，并增加一系列封装选项，包括SMD和通孔外壳。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.st.com/stpower-800v-mdmesh-k6，以及http://www.tcisaronno.net。（张怡，产通发布）    （完）