【产通社，9月10日讯】意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）官网消息，其STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动GaN增强型FET高频开关，用于高压PFC、DC/DC和DC/AC变换器、开关电源、UPS电源系统、太阳能发电，以及家用电器、工厂自动化和工业驱动设备的电机驱动控制等应用。


产品特点


STDRIVEG600的驱动电源电压高达20V，还适用于驱动N沟道硅基MOSFET管，在驱动GaN器件时，可以灵活地施加6V栅极-源极电压(VGS)，确保导通电阻Rds(on)保持在较低水平。此外，驱动器还集成一个自举电路，可大限度降低物料清单成本，简化电路板布局。自举电路使用同步整流MOSFET开关管，使自举电压达到VCC逻辑电源电压值，从而让驱动器只使用一个电源，而无需低压降稳压器(LDO)。

STDRIVEG600的dV/dt为±200V/ns，确保栅极控制在恶劣的电气环境中具有较高的可靠性。逻辑输入兼容低至3.3V CMOS/TTL信号，方便连接主微控制器或 DSP处理器。高边电路耐受电压高达600V，可用于高压总线高达500V的应用领域。

驱动器的输出灌电流/拉电流为5.5A/6A，并提供独立的导通和关断引脚，让设计人员可以选择适合的栅极控制方式。此外，高低边电路都支持与功率开关源极相连的开尔文连接方法，以增强控制性能。低边驱动器的专用接地和电源电压引脚可实现开尔文连接，确保开关操作稳定，并允许使用分流电阻器检测电流，而无需额外的隔离或输入滤波电路。

驱动器内置完备的安全保护功能，其中，高低边驱动欠压锁定(UVLO)可以防止功率开关管在低效率或危险工况下运行；互锁保护可以避免开关管交叉导通。其他保护功能包括过热保护、省电关闭功能专用引脚。

驱动器有两款配套开发板，帮助设计人员快速启动新项目，其中，EVSTDRIVEG600DG板载一个150mΩ 650V GaN HEMT晶体管，该晶体管采用5×6mm PowerFLAT封装，带有Kelvin驱动源引脚；EVSTDRIVEG600DM开发板配备一个STL33N60DM2内置快速恢复二极管的MDmesh 115mΩ 600V硅基MOSFET功率开关，该晶体管采用带有Kelvin驱动源引脚的8×8mm PowerFLAT封装或者DPAK封装。


供货与报价


STDRIVEG600驱动芯片已量产，采用16引脚SO16封装。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.st.com/gandrivers。（张怡，产通发布）    （完）