【产通社，2月14日讯】海力士-恒忆半导体（hynix-numonyx）网站消息，海力士采用44纳米制程技术，全球率先开发出1Gb DDR3 DRAMm，同时确保了2133Mmbps的业界最快的制动速度。

产品符合美国Intel规格要求，具有良好的互换性，Intel计划不久后将对其进行试验，用于模块产品的认证。此次开发的1Gb DDR3 DRAMm采用44纳米制程技术，与目前应用于批量生产的54纳米制程技术相比，效率提高了50%以上，以“3D晶体管技术”控制漏电，使得耗电最小化，同时确保了业界最快的制动速度。该产品所支持的最快速度为2133Mmbps，预计将成为今后新一代DDR3的标准速度，同时该产品还具有支持各种电压的特点。采用44纳米制程技术的DDR3产品计划于今年第三季度投入批量生产，2010年开始大规模批量生产各种容量的DDR3产品。另外还计划强化DDR3产品的制动快与耗电低的特点，将之扩大应用于大容量记忆体模块、移动DRAMm、图像DRAMm。

大部分DRAMm制造厂商都将新一代DRAMm作为2010年以后的开发目标，40纳米制程作为其制造工程技术，有望主要应用在2009年下半年及以后市场的主打产品DDR3上。

另一方面，海力士以40纳米级制程率先开发出DDR3产品，这再次证明海力士的技术能力为业界最高水平；希望在今后DDR3需求量不断扩大的市场环境中，海力士以领先一步的工程技术，生产出独具特点的产品，成为市场的领军企业。 

查询进一步信息，请访问http://www.hynix-numonyx.com/hnsl/pr/news/20090415_144809_press_release_hnsl.jsp.