【产通社，9月5日讯】北京兆易创新科技股份有限公司（Gigadevice Semiconductor；股票代码：603986）2021年半年度报告显示，其NOR Flash继续保持技术和市场的领先，针对不同应用市场需求分别提供高性能、低功耗、高可靠性、高安全性等多个系列产品：
（1）大容量。公司推出512Mb、1Gb、2Gb1的大容量SPI NOR Flash产品，填补国产空白。
（2）高性能、高可靠性。公司推出国内首款业界最高性能的GD25/GD55 T/X系列产品，各项规格、指标完全符合最新的JEDEC xSPI以及 Xccela联盟的标准规范，产品内置ECC算法与CRC校验功能，最大程度上保障了产品的可靠性，大幅度延长使用寿命。
（3）低功耗。GD25E/LE系列提供业界领先的低功耗参数，大大延长了电池供电应用的待机时间。
（4）小封装。公司产品采用WLCSP封装，有效缩减芯片的体积和重量，满足市场日益增大的可穿戴电子产品对“轻、薄、小”的追求；公司还成功推出1.5×1.5mm的业界最小USON封装。
（5）在汽车应用上，公司GD25 SPI NOR Flash全面满足车规级AEC-Q100认证，近期GD55的2G大容量产品也通过了该认证。公司SPI NOR Flash车规级产品2Mb~2Gb容量已全线铺齐，为市场提供全国产化车规级闪存产品。目前Nor Flash行业主流工艺节点为55nm2，公司产品工艺处于行业内主流技术水平，55nm工艺节点全系列产品均已量产，和65nm工艺节点一起成为公司的主要工艺节点。

在NAND Flash产品方面，目前SLC Nand主流工艺结点在19-38nm，公司成熟工艺节点为38nm，24nm工艺节点已经实现量产，目前正在向19nm工艺节点推进，产品覆盖从1Gb至8Gb主流容量，电压涵盖 1.8V和3.3V，提供传统并行接口和新型SPI接口两个产品系列。

公司第一颗自有品牌的DRAM产品（19nm，4Gb）已于2021年6月量产，主要面向利基市场。公司规划中的DRAM产品包括DDR3、DDR4、LPDDR4，制程在1Xnm级（19nm、17nm），容量在1Gb~8Gb。

目前17nm DDR3产品正在积极研发中。在利基市场，公司DRAM产品在工艺制程上保持代差优势，有利于降低产品成本。公司与长鑫存储的紧密合作关系，为公司DRAM产品提供稳定产能保障。同时，依托于多年积累的、完善的销售网络和技术团队，公司能够为客户提供快速的本地化服务响应和技术支持。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.gigadevice.com。（Donna Zhang，张底剪报）    （完）