【产通社，9月3日讯】意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）官网消息，为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术其发布了MasterGaN3*和MasterGaN5两款集成功率系统封装，分别面向高达45W和150W的功率变换应用。连同面向65-400W应用的MasterGaN1、MasterGaN2和MasterGaN4，这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正（PFC）和DC/DC变换器的工程师选择合适的氮化镓（GaN）器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。


产品特点


MasterGaN概念简化了GaN宽禁带功率技术替代普通硅基MOSFET的发展进程。新产品集成两个650V功率晶体管与优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路，消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战。因为GaN晶体管可以实现更高的开关频率，新的集成功率系统封装可使电源尺寸比基于硅的设计缩小80%，并且具有很高的稳健性和可靠性。

MasterGaN3的两个GaN功率晶体管的导通电阻值（Rds(on)）不相等，分别为225mΩ和450mΩ，使其适用于软开关和有源整流变换器。在MasterGaN5中，两个晶体管的导通电阻值（Rds(on)）都是450mΩ，适用于LLC谐振和有源钳位反激变换器等拓扑。

与MasterGaN产品家族的其他成员一样，这两款器件都有兼容3.3-15V逻辑信号的输入，从而简化了产品本身与DSP处理器、FPGA或微控制器等主控制器和霍尔传感器等外部设备的连接。新产品还集成了安全保护功能，包括高低边欠压锁定（UVLO）、栅极驱动器互锁、过热保护和关断引脚。

每款MasterGaN产品都有一个配套的专用原型开发板，帮助设计人员快速启动新的电源项目。 EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5开发板都包含一个单端或互补驱动信号发生器电路。板载一个可调的死区时间发生器，以及相关的设备接口，方便用户采用不同的输入信号或PWM信号，连接一个外部自举二极管来改进容性负载，为峰流式拓扑插入一个低边检流电阻。


供货与报价


MasterGaN3和MasterGaN5现已量产，采用针对高压应用优化的9×9mm GQFN封装，高低压焊盘间爬电距离为2mm。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.st.com/mastergan。（张怡，产通发布）     （完）