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欧姆龙OMRON G3VM-xxMT系列MOS FET继电器漏电流小于1pA
2021/8/4 10:31:17     

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【产通社,8月4日讯】欧姆龙电子部件贸易(上海)有限公司(OMRON Corporation)官网消息,其G3VM-xxMT系列MOS FET继电器模块漏电流在1pA以下,有助于设备的高可靠性。
 

产品特点


G3VM-xxMT系列MOS FET继电器模块具备T开关功能,实现fA级的较小漏电流,有助于达到与以往的干簧继电器同等的测量性能。主要特点如下:
- 接点构成:1a+T开关功能。
- 采用小型封装,有助于节省印刷电路板上的封装空间。
- VOFF =20V、50V、80V。


供货与报价


符合RoHS指令。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.ecb.omron.com.cn/product-detail?partNumber=G3VM-21MT/G3VM-61MT/G3VM-101MT。(Lisa WU,365PR Newswire)    (完)
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