【产通社，7月25日讯】罗姆株式会社（ROHM Semiconductor；东京证交所股票代码：6963.T）官网消息，其开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（Hybrid IGBT）RGWxx65C系列（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101。该产品适用于以电气化车辆为首的电动汽车（xEV）中的车载充电器和DC/DC转换器、以及太阳能发电用的功率调节器等处理大功率的汽车电子设备和工业设备。


产品特点


近年来，在全球“创建无碳社会”和“碳中和”等减少环境负荷的努力中，电动汽车（xEV）得以日益普及。为了进一步提高系统的效率，对各种车载设备的逆变器和转换器电路中使用的功率半导体也提出了多样化需求，超低损耗的SiC功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和传统的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET等）都在经历技术变革。

ROHM致力于为广泛的应用提供有效的电源解决方案，不仅专注于行业先进的SiC功率元器件，还积极推动Si功率元器件和驱动IC的技术及产品开发。此次，开发了能够为普及中的车载、工业设备提供更高性价比的Hybrid IGBT。

RGWxx65C系列是Hybrid型IGBT，在IGBT的反馈单元（续流二极管）中采用了ROHM的低损耗SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD），成功大幅降低以往IGBT产品导通时的开关损耗（以下称“开通损耗）。在车载充电器中采用本产品时，与以往IGBT产品相比，损耗可降低67%，与超级结MOSFET（SJ-MOSFET）相比，损耗可降低24%，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。


供货与报价


新产品已于2021年3月开始出售样品（样品价格：1,200日元/个，不含税），预计将于2021年12月起暂以月产2万个的规模投入量产。另外，在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据，其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等，以支持快速引入市场。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.rohm.com.cn。（张怡，产通发布）    （完）