【产通社，7月14日讯】SK海力士（SK Hynix；KRX韩国证券交易所股票代码：000660.KS）官网消息，其已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb）LPDDR4（Low Power Double Data Rate 4）移动端DRAM产品。SK海力士在此前生产1y纳米级产品过程中曾部分采用了EUV技术，事先完成了对其稳定性的验证。

SK海力士1a纳米级DRAM领导小组（Task Force）的曹永万副社长表示：“此次量产的1a纳米级DRAM在生产效率和成本竞争力层面都有改善，从而可以期待更高的盈利。通过将EUV技术全面导入量产程序，SK海力士有望进一步巩固引领尖端技术的高新企业地位。”


产品特点


自从10纳米级DRAM产品开始，半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。

工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入EUV设备，并将其投入在晶圆上绘制电路的光刻工艺当中。业界认为采用EUV技术的水平将成为今后决定技术领导地位的重要因素。SK海力士通过此次量产确保了EUV工艺技术的稳定性，并表示未来的1a纳米级DRAM都将采用EUV工艺进行生产。

SK海力士期待通过新产品生产效率的提升得以确保更高的成本竞争力。相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品，1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%。在今年全球DRAM需求持续增长的背景下，公司期待1a纳米级DRAM在全球存储半导体供需中扮演重要角色。

此次新产品稳定支持 LPDDR4 移动端DRAM规格的最高速度（4266Mbps），并相较前一代产品其功耗也降低了约20%. SK海力士认为此次新产品进一步强化了低功耗的优势，助力碳排放量的减少。


供货与报价


在本次LPDDR4产品之后，SK海力士还计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。

查询进一步信息，请访问官方网站http://news.skhynix.com.cn/sk-hynix-starts-mass-production-of-1anm-dram-using-euv-equipment。（张怡，产通发布）    （完）