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PANJIT强茂全新600V和650V MOSFET用于下一代电源供应系统
2021/7/11 12:39:39     

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【产通社,7月11日讯】强茂股份有限公司(PANJIT International;TWSE股票代码:2481)官网消息,其第一代Super Junction MOSFET凭借能够提供简单高效的设计解决方案的特性,可成为各应用中PSU系统以及各种拓扑结构的DC-DC转换器、功率因子校正(PFC)电路最佳解决方案。


产品特点


此次开发的新产品主要应用于Power Supply Unit(PSU)当中,其广泛应用于消费性和工业控制的电源转换系统,例如AC-DC或DC-DC转换器。Multi Epi Layer技术应用于Super Junction MOSFET,导通损耗随电阻降低而减少,让Super Junction MOSFET能应用于更高功率系统。强茂新一代Super Junction MOSFET目标应用市场包含电信、服务器数据中心、计算机电源供应系统、家电、游戏变压器及PD充电器等。

强茂Super Junction MOSFET主要特性之一为本体二极管出色的di/dt耐用性和优化的开关性能,可实现优秀EMI表现特性。凭借强茂Super Junction MOSFET在性能方面的优势,工程师或研究开发人员也能为最终产品模块设计出更长的使用寿命和更好的运作效能。


供货与报价


强茂Super Junction MOSFET系列产品开发范围600-650V并采用ITO-220AB-F以及TO-252AA(预计2021/Q3发布)两种封装选择,提供下一代电源供应系统设计的理想解决方案。

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.panjit.com.tw/cn/News/SJ_MOSFET。(张怡,产通发布)    (完)
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