【产通社，6月11日讯】美国微芯科技公司（Microchip Technology；NASDAQ股票代号：MCHP）消息，空间应用电源需要在抗辐射技术环境中运行，防止极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响，因为这类事件会降低空间系统的性能并干扰运行。为满足这一要求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布其M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds（on）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）获得了商业航天和国防空间应用认证。

Microchip分立式产品业务部副总裁Leon Gross表示：“Microchip进入耐辐射MOSFET市场，体现了我们致力于为客户提供支持，为航空航天和国防OEM厂商和集成商提供高性能解决方案和持续供应的长期承诺。除了公认的高质量和可靠性外，M6 MRH25N12U3还为开发人员提供价值定价选择以及全面的应用支持。”


产品特点


Microchip耐辐射M6 MRH25N12U3 MOSFET为电源转换电路提供了主要的开关元件，包括负载点转换器、DC-DC转换器、电机驱动和控制以及通用开关。这款MOSFET器件能够承受恶劣的空间环境，增强电源电路的可靠性，并以更高的性能满足MIL-PRF19500/746的所有要求。 

M6 MRH25N12U3 MOSFET可用于未来的卫星系统，也可作为现有系统的备用电源。新器件可以承受高达100 krad和300 krad的总电离剂量（TID）以及高达87 MeV/mg/cm2的线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）。在验证测试中，器件的晶圆批次耐辐射合格率达到100%。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://wwww.microchip.com。（Vivian，hoffman / 霍夫曼公关）    （完）