【产通社，1月22日讯】TechWire International消息，Digi-Key与Cree共同宣布，Digi-Key现在正在库存面向通用微波应用的Cree氮化镓(GaN) HEMT晶体管。Digi-Key的Cree产品系列包括SiC功率元件、SiC MESFET、高亮度与高功率LED以及现在还包括的GaN HEMT晶体管。

功率水平介于10W～90W的Cree GaN HEMT通用晶体管是需要高效率、多倍频带宽性能方面微波应用的理想选择。这些晶体管在占位面积较小的封装中可提供高达6GHz的高频率、高增益及低寄生电容。这可实现更小、更亮且能效更高的系统，与采用其他微波晶体管技术相比，这些系统通常所需的放大器元件数较少。

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