【产通社，6月1日讯】Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd.官网消息，其在动态闪存（DFM）技术方面的进展，这是该行业为未来的低成本、高密度嵌入式或独立式存储器应用寻找DRAM替代品的一次飞跃。与DRAM或其他类型的易失性存储器相比，DFM能够提供更快的速度和更高的密度。 

DFM的共同发明人、Unisantis公司的Koji Sakui评论道：“存储器行业早已接受了DRAM技术接近其寿命终点的事实，但其巨大的市场意味着任何替代技术都必须在性能、成本和未来可扩展性之间取得适当的平衡。在大量的内部研究和测试之后，我们很高兴向市场推出DFM，使之成为长期可行的DRAM首选替代方案。” 

Unisantis Electronics高级副总裁James Ashforth-Pook补充道：“我们很高兴能够展示动态闪存（Dynamic Flash Memory），它与目前的DRAM架构相比具有明显的优势。” 

5月18日，在第13届电气与电子工程师协会（IEEE）国际存储器研讨会（IMW）上，Unisantis的Koji Sakui博士和Nozomu Harada博士在一篇题为《带有双栅极环绕栅极晶体管（SGT）的动态闪存》（Dynamic Flash Memory with Dual Gate Surrounding Gate Transistor, SGT）的论文中首次介绍了由他们发明的DFM。 

DRAM是一种易失性、基于电容器、破坏性读取的存储器，如何在不增加功耗的情况下，继续以更低的成本增加更多的存储量，是其长期以来面临的挑战。DFM采用一种革命性的方法来克服传统易失性存储器（如DRAM）的局限性，这类传统存储器天生具有短暂、规律且耗电的刷新周期以及破坏性的读取过程。 

DFM也属于易失性存储器，但由于不依赖电容器，因此泄漏路径较少，在开关晶体管和电容器之间没有连接。其结果是一种有可能大幅提高晶体管密度的单元设计，因为DFM不仅能提供块刷新，而且作为闪存还能提供块擦除，它可以降低刷新周期的频率和开销，与DRAM相比，在速度和功率方面有显著改善。 

通过使用TCAD仿真，Unisantis证明了DFM与DRAM相比具有将密度提高4倍的巨大潜力。根据IEEE国际固态电路会议（ISSCC）最近发表的论文，DRAM的扩展性几乎已经停止在16Gb。4F2单元密度下的DFM模型显示出了DFM的完美结构。DFM的设计和开发意味着显著的Gb/mm2改进，对于DRAM的限制（目前为16Gb），在使用DFM经彻底增强的单元结构之后，可能会立即增加到64Gb内存。 

取代DRAM是行业的一项重大挑战，这不仅是因为今天的DRAM占当前存储器市场需求的50%以上（Yole Development, 2020）。预测显示，到2025年，这种低成本、高密度的DRAM将继续增长并且市场规模将突破1000亿美元。然而，包括无电容DRAM、ZRAM或简单化的GAA和Nanosheet方法在内的某些替代品方案同样面临着挑战，与DFM相比，它们都有各自的局限性。 

在今天的发布之后，公司目前正在寻求进一步推动自身技术发展，同时通过一系列存储器和代工合作伙伴关系，在外部测试和演示DFM的功能和更充分的潜力。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.unisantis.com。（Lisa WU，365PR Newswire）    （完）