【产通社，5月31日讯】创意电子（Global Unichip Corp.；台湾股票代码：3443）官网消息，其GLink-3D晶粒叠晶粒（Die-on-Die, DoD）接口IP将采用台积电的5nm、6nm制程以及3DFabric先进封装技术，为人工智慧（AI）、高效能运算（HPC）和网络（Networking）应用打造全方位3D解决方案。


产品特点


人工智能、高效能运算和网络应用对存储器需求正在快速增长，而SRAM与逻辑单元的面积比率也与日俱增。从7nm微缩至5nm和3nm制程节点时，逻辑单元的密度和效能均有所提升，但是SRAM则变化不大。将SRAM与逻辑单元去整合化之后，就能在效率最高的制程节点上分别设计所需的SRAM和逻辑单元。只要使用台积电的3DFabric封装技术，即可在互连和I/O晶粒的上方或下方，堆栈多层CPU和SRAM（快取、封包缓冲区）晶粒。能够实现这种可扩充的SRAM和模块化运算应用，靠的就是创意电子GLink-3D的高频宽、低延迟、低功耗，以及3D堆栈晶粒之间的单点对多点接口。CPU、SRAM和I/O（SerDes、HBM、DDR）晶粒可分别在效率最高的制程节点中导入，只要堆栈组装不同的晶粒组合，即可满足不同市场区隔的需求。系统启动时除了会识别已堆栈组装的SRAM和CPU晶粒，同时也会分配每一晶粒ID，定义可用的存储器空间和运算资源，并启用与堆栈晶粒相连的单点对多点GLink-3D接口。 

台积电的3DFabric SoIC平台技术可进一步提升连接效率，相较于同类最佳的2.5D接口GLink 2.0（已于2020年12月设计定案），GLink-3D的频宽密度提高6倍、延迟降低6倍，功耗则降低2倍。多个3D堆栈晶粒可以透过GLink-2.5D互连并使用CoWoS和InFO_oS封装技术，即可与HBM存储器组装在一起。  

GLink-3D的主要特点：
- 支援台积电5nm和6nm制程节点的系统整合芯片（SoIC）堆栈；
- 单点对多点接口，可让主晶粒同时与多个堆栈晶粒相连；
- 稳健的全双工流量（每平方毫米9Tbps）；
- 速度：每通道5.0Gbps；
- 极短的端对端延迟（<2ns）和低功耗设计（<0.2pJ/bit）；
- 单一电源电压75V±10%。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.guc-asic.com。（张怡，产通发布）    （完）