【产通社，4月30日讯】华润微电子有限公司（China Resources Microelectronics Limited；股票代码：688396）2020年度报告显示，其报告期内主要取得的研发成果如下：
（1）公司充分利用IDM模式优势和在功率器件领域雄厚的技术积累开展SiC功率器件研发，向市场发布第一代SiC工业级肖特基二极管(1200V、650V)系列产品，国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。产品可广泛应用于太阳能、UPS、充电桩、储能和车载电源等领域。
（2）公司中低压功率SGT MOSFET产品实现关键核心技术突破，器件性能达到对标产品的国际先进水平。
（3）报告期内，公司完成5A-43A系列化超结MOS器件产品的开发，多颗产品实现批量生产。
（4）公司向市场推出了30V系列新一代沟槽栅MOS产品，整体性能达到国内领先水平。
（5）公司多芯片封装集成IPM模块实现批量销售，同时向家电市场推出多颗不同电流和电压的系列化产品。
（6）公司推出全新的平面高压MOSFET第七代产品，该产品具有电流密度高、开关速度快、浪涌能力强、制造成本低等多种优势，可以广泛用于LED电源、适配器、充电器等领域。
（7）公司自主研发的采用国产32位CPU IP的MCU产品实现客户导入，并持续开发系列化产品方案。
（8）公司成功推出适用于电动自行车、平衡车的7节、10节硬件保护产品PT6007B、PT6010，以及用于电池包二级保护的产品PT6605M，并实现全系列硬件保护产品，支持铁锂电池应用。
（9）公司完成光电高压可控硅成品平台研发，推出过零触发和随机相位触发等多颗产品。
（10）公司光电及硅麦克风传感器工艺平台从6英寸升级到8英寸，实现批量生产，产品性能及良率水平优秀；整体提升了公司MEMS工艺技术水平和竞争能力。
（11）公司成功完成面板级封装技术从研发到量产化导入工作，可为客户提供面板级封装技术解决方案，封装产品可靠性满足工业电子元器件应用需求，封装阻抗可小于0.5毫欧。
（12）自主实现PD快充调压技术，完成60W高功率发送方案开发。
（13）自主研发的SuperJunction多层外延技术实现突破，功率密度进一步提升20%以上，效率进一步提高，并拓展到集成ESD保护系列产品和集成快恢复FRD系列产品，达到工业级可靠性，性能对标业界先进水准。
（14）IGBT技术从6英寸升级到8英寸，自主研发的8英寸1200V、650V IGBT工艺平台已建立完成。
（15）高精度模拟集成电路工艺技术平台实现量产。该工艺平台采用国内领先的0.153微米技术，自主研发了多项新型器件结构，可提供丰富的IP，具有具有优秀的线性度、低的噪声和更低的功耗，非常适用于高精度测量和传感器应用，核心器件可以达到车规级可靠性要求。
（16）报告期内，公司“0.153um CMOS EN高精度模拟技术平台研发与产业化”、“新一代驱动型低压大电流Trench-MOSFET”获得第十四届（2019年度）获中国半导体创新产品和技术奖，“智能功率驱动芯片设计及制备的关键技术与应用”获“江苏省科学技术一等奖”等。

报告期内，公司新增境内专利申请319项，PCT国际专利申请54项，境外专利申请43项；截至2020年末，公司已获得授权并维持有效的专利共计1,711项，其中境内专利1,492项、境外专利219项。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.crmicro.com。（robin, 张底剪报）    （完）