【产通社，4月17日讯】意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）官网消息，其MasterGaN4功率封装集成了两个对称的225mΩ RDS（on）、650V氮化镓（GaN）功率晶体管，以及优化的栅极驱动器和电路保护功能，可以简化高达200W的高能效电源变换应用的设计。

产品特点



作为意法半导体MasterGaN系列的最新产品，MasterGaN4解决了复杂的栅极控制和电路布局难题，简化了宽带隙GaN功率半导体的应用设计。MasterGaN4的输入容许电压为3.3-15V，可以直接连接到控制器，例如，霍尔效应传感器或微控制器、DSP处理器、FPGA可编程器件等CMOS芯片。

GaN晶体管开关性能出色，工作频率更高，能效更高，散热发热更少，设计人员可以选用尺寸更小的磁性组件和散热器，设计更小、更轻的电源、充电器和适配器。MasterGaN4非常适用于对称半桥拓扑以及软开关拓扑，例如，有源钳位反激式和有源钳位正激式变换器。

4.75-9.5V的宽电源电压方便MasterGaN4连接到现有电源轨。内置保护功能包括栅极驱动器互锁、高低边欠压锁定（UVLO）以及过热保护，可进一步简化应用设计。还有一个专用的关断引脚。

作为这次产品发布的一部分，意法半导体还推出一个MasterGaN4原型开发板（EVALMASTERGAN4）。这块评估板提供使用单一或互补信号驱动MasterGaN4的全部功能，以及一个可调的死区时间发生器。用户可以灵活地施加一个单独输入信号或PWM信号，插入一个外部自举二极管，隔离逻辑器件和栅极驱动器电源轨，以及使用一个低边电流采样电阻设计峰值电流模式拓扑。


供货与报价


MasterGaN4现已投产，采用9×9×1mm GQFN封装，超过2mm的爬电距离确保在高压应用中的使用安全。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.st.com/gatedrivers。（张怡，产通发布）     （完）