【产通社，12月26日】中芯国际集成电路制造有限公司（SMIC；NYSE股票代码：SMI；HKEX股票代码：981）网站消息，其已成功开发0.13微米高压驱动技术。这项新技术是在中芯国际0.16微米高压制程基础上的改进和完善，可开始提供客户设计使用。

中芯国际0.13微米高电压技术不仅能为客户提供更小尺寸的芯片，而且还可降低功耗以符合下个技术世代的需求，如高端驱动IC，特别是在移动电视和互联网设备的应用。同时该制程技术可提供1.5/6/±16伏特电压以及采用铝后端金属方案，适用于高分辨率手机显示器驱动。

采用0.13微米技术，中芯国际已开发出芯片代工业尺寸最小的SRAM位元单元，同时又保证了出色的功率性能。此技术可同时支持e-OTP（可一次性编程）和e-MTP（可多次编程），使显示优化及匹配测试更为简单。

中芯国际之前还宣布，自2007年12月与IBM签订45纳米低功耗和高性能bulk CMOS技术许可协议不到一年后，其第一批45纳米产品已成功通过良率测试，标志着其45纳米工艺进入一个新的里程。

这一技术目标提前完成，进一步巩固了中芯国际技术领先者的地位。中芯国际已与一系列高端客户签定45纳米代工协定，计划于2009年开始生产。该技术以SPICE模式为支持，有助于畅通设计流程，使客户能尽早计划产品上市时间。

IBM授权的45纳米bulk CMOS技术可实现以下应用，包括移动设备，如3G手机，全球定位系统，以及多媒体处理器。该技术还可以支持图形，网络，存储及一般消费性装置的生产制造。