【产通社，4月9日讯】三星电子有限公司（Samsung Electronics；KRX韩国证券交易所股票代码：005930.KS）官网消息，其已利用基于高介电常数金属闸极（HKMG）工艺技术的512GB DDR5模块扩展了DDR5 DRAM存储产品组合。新款DDR5的性能可达DDR4的两倍以上，最高可达每秒7200Mbps，将能够协调超级计算、人工智能（AI）和机器学习（ML）中的高级计算需求和高带宽工作负载，以及数据分析应用程序。 

三星电子公司DRAM内存规划/启用团队副总裁Sohn Young-Soo说，“三星有逻辑和内存能力，能够将HKMG优质逻辑技术整合到内存产品开发中。通过将此类工艺创新引入DRAM制造，我们能够为客户提供高性能、高能效的内存解决方案，为医疗研究、金融市场、自动驾驶、智能城市等所需的计算机提供动力。” 

英特尔公司内存和IO技术副总裁兼总经理Carolyn Duran说，“随着要移动、存储和处理的数据数量呈指数级增长，向DDR5的过渡处于云数据中心、网络和边缘部署的关键拐点。英特尔的工程团队与三星等内存企业紧密合作，提供快速、节能的DDR5内存，该内存性能优化，并与我们即将推出的代号为蓝宝石激流（Sapphire Rapids）的英特尔Xeon可扩展处理器兼容。” 


产品特点


三星512GB容量DDR5模块由8层硅通孔（TSV）结构组成，HKMG材料可降低13%的能耗，同时其速度是第四代双倍数据速率内存（DDR4）的两倍。

随着DRAM结构的不断变小，绝缘层变薄，导致泄漏电流升高。通过使用HKMG材料替代绝缘体，三星DDR5将能够减少泄漏，并在性能上达到新的高度。这种新内存的功耗也将减少约13%，因此特别适合能源效率日益重要的数据中心。 

HKMG工艺于2018年在三星的GDDR6内存中采用。通过扩大其在DDR5中的使用，三星进一步巩固了其在下一代DRAM技术领域的地位。三星DDR5通过硅通孔（TSV）技术，将8层16Gb DRAM芯片堆叠起来，提供容量为512GB的芯片。TSV于2014年在DRAM中使用，当时，三星推出了容量高达256GB的服务器模块。 

三星目前正在对其DDR5内存产品系列的不同变体进行抽样，以供客户验证，并最终使用其优质产品进行认证，以加速AI/ML、超大规模计算、分析、网络和其他数据密集型工作负载。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://news.samsung.com。（张怡，产通发布）    （完）