【产通社，4月3日讯】氮化镓系统公司（GaN Systems公司）官网消息，其推出一款 基于氮化镓的最高功率密度、高效率的65W有源箝位反激式（ACF）充电器的新参考设计。该参考设计现已在Silanna 半导体公司上市，为ACF USB-C PD 氮化镓充电器提供了一个简单的设计，为客户缩短了设计周期和产品上市时间。

氮化镓系统公司首席执行官Jim Witham说，“Silanna半导体公司是另一个成功案例，他们非常适合65W ACF设计，该公司认识到氮化镓对电源工程师的重要性日益增加，并开发出创新性解决方案。随着氮化镓成为整个市场的标准构件，我们很高兴看到这个生态系统继续发展。”


产品特点


该解决方案消除了ACF拓扑设计的困难，因为ACF拓扑设计通常在高侧和低侧配置两个晶体管。新的充电器参考设计采用Silanna半导体公司的SZ1130 ACF PWM控制器和氮化镓系统公司的GS-065-008-1-L 650V GaN功率晶体管，将高侧FET集成到控制器中。这种设计通过在二次侧使用传统的RM8变压器和100V SR MOSFET，降低了BoM成本。

主要优点和特点：
- 超高的密度：30W/in^3无机箱。
- 高效率：峰值效率 >94%。
- 低温：<95?C 最高元器件温度。
- 更好的EMI设计：清晰的波形，几乎没有电压尖峰或振铃。
- 支持广泛的应用：5V/3A、9V/3A、15V/3A和20V/3.25A输出电压；USB-PD。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://cn.gansystems.com，或http://www.powerdensity.com。（张嘉汐，产通发布）    （完）