【产通社，2月26日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官网消息，其面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---MG800FXF2YMS3，主要应用包括用于轨道车辆的逆变器和转换器、可再生能源发电系统、工业电机控制设备。


产品特点


为达到175°C的通道温度，该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV（智能柔性封装低电压）封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。MG800FXF2YMS3特性：
-漏源额定电压：VDSS＝3300V
-漏极额定电流：ID＝800A双通道
-宽通道温度范围：Tch＝175°C
-低损耗：Eon＝250mJ（典型值），Eoff＝240mJ（典型值），VDS（on）sense＝1.6V（典型值）
-低杂散电感：Ls＝12nH（典型值）
-高功率密度的小型iXPLV封装


供货与报价


该产品将于2021年5月投入量产。查询进一步信息，请访问官方网站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/top.html。（张怡，产通发布）    （完）