【产通社，1月15日讯】纳微半导体（Navitas Semiconductor）消息，其在2020新型显示、半导体、5G应用展（SemiExpo 2020）之年度颁奖盛典上被授予“年度半导体材料设计卓越创新奖”（Semiconductor Design Innovation Excellence Award）。本活动由中国通信工业协会、深圳市半导体行业协会、广州市半导体协会、江苏省半导体行业协会、浙江省半导体行业协会、成都集成电路行业协会、深圳市半导体显示行业协会、深圳市中新材会展有限公司（隶属于全球媒体展览集团塔苏斯Tarsus Group）于12月8-10日在中国深圳新国际会展中心联合主办。

此殊荣用于表彰纳微领先的GaNFast功率IC的高性能，该功率IC将氮化镓（GaN）技术成功地带来行业技术革新并运用到各行各业，包括移动充电器、数据中心、太阳能逆变器、电动EV和移动应用。

全新的快速氮化镓（GaN）是下一代功率半导体技术，其运行速度比旧的慢速硅芯片快100倍，并且在节能和功率密度方面有了显着提高。 Navitas的GaNFast功率IC将GaN电源（FET）与驱动、控制和保护集成在一起，以一半的尺寸和重量，实现多达3倍的功率输出。

Navitas副总裁兼中国区总经理查德莹杰表示：“Navitas很荣幸能获得CCIA和SemiExpo颁发的这一奖项，以表彰GaNFast功率IC在加速5G市场充电方面的创新成就。GaNFast已被行业内许多领先的科技公司采用，其中包括小米、OPPO、联想和RealMe，作为其旗舰机型快速充电器的功率IC。深圳市半导体显示行业协会 会长 徐世颖在SemiExpo SZ颁奖典礼上向Navitas代表任慧女士颁发了“卓越创新奖”。

吸引了50,000多名参观者，他们从800多家电子工业供应商那里体验了最新的领先技术，并吸引了80多家媒体进行报道，了解学习电子工业最新的创新技术。

Navitas的资深销售经理Jason（Yupu）TAO在SemiExpo的现场演讲“Navitas GaNFast: A New Era in Fast Charging”《纳微氮化镓市场分享及展望》中介绍了氮化镓的高性能和环境效益，吸引了观众们的热烈掌声，现场旁听及通过微博直播观看的观众达到数百人。

在avitas展位，参观者了解到最新Navitas GaNFast设备和参考设计方案，这些设备和参考设计实现了前所未有的小尺寸、轻巧和高效率，帮助智能手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器和游戏系统实现了超速充电的梦想。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.navitassemi.com/news。（Lisa WU，365PR Newswire）    （完）