【产通社，12月18日讯】三安集成电路有限公司（Xiamen Sanan Integrated Circuit Co.， Ltd.）其已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试，其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域，有助于减小系统体积，降低系统功耗，提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。


产品特点


本次推出的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET，与传统的硅基IGBT功率器件相比，宽禁带碳化硅材料拥有“更高、更快、更强”的特性——更高的耐压和耐热、更快的开关频率，更低的开关损耗。优异的高温和高压特性使得碳化硅MOSFET在大功率应用中表现出色，尤其是高压应用中，在相同的功率下，碳化硅MOSFET自身器件损耗小，极大减小了器件的散热需求，使系统朝着小型化，轻量化，集成化的方向发展。这对“寸土寸金”的电源系统来说至关重要，比如新能源车载充电器OBC、服务器电源等。

从碳化硅肖特基二极管到MOSFET，三安集成在3年时间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下，提供高质量高可靠性的碳化硅产品。首款工业级碳化硅MOSFET采用平面型设计，具备优异的体二极管能力，高温直流特性，以及优良的阈值电压稳定性。

三安集成碳化硅肖特基二极管于2018年上市后，已完成了从650-1700V的产品线布局，并累计出货达百余万颗，器件的高可靠性获得客户一致好评。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.sanan-ic.com。（张嘉汐，产通发布）    （完）