【产通社，12月17日讯】Gigaphoton株式会社官网消息，其已开始批量生产出厂采用新技术的最新半导体制造光刻光源ArF浸没式激光器GT66A。

Gigaphoton董事长兼总经理浦中克己表示：“近年来，半导体芯片被要求具有更高的通信速度，并且可以处理大量数据。主要支持它的是逻辑和存储器半导体的细微化，这需要光刻技术的进一步创新来实现高生产率。Gigaphoton将通过技术创新改善成像性能并提高光源的Availability，为新一代产业界的发展做出贡献。”。


产品特点


目前，最尖端产品制造开始为逻辑器件开发3nm节点工艺，并开始批量生产用于DRAM的1Znm节点。如何在这些超微细器件中降低转印到晶圆上的曝光图案的粗糙度是一个难题，而且重要的是忠实地再现电路图案并提高批量生产的成品率。

GT66A新型光刻光源ArF浸没式激光器通过新开发的光学模块将脉冲发光时间延长到以前的3倍以上，从而改善曝光面的光束均匀性，成功降低粗糙度。还通过引入最新的高度耐用零件，将模块的维护周期延长30%。

此次，GT66A已通过荷兰大厂ASML公司最新ArF浸没式曝光设备NXT:2050i用光源的认证，开始为最终用户批量生产出厂光源。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.GIGAPHOTON.com。（Donna Zhang, 张底剪报）    （完）