【产通社，10月28日讯】派恩杰半导体（杭州）有限公司（PN Junction Semiconductor）官网消息，其国内首款1700V, 3Ω SiC MOSFET P3M173K0K3，最大导通电流(Ids_max)为2A。针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds(on), 使其广泛适用于工业电机驱动、光伏、直流充电桩、储能变换器器，以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。


产品特点


工业三相供电（400-690VAC）的功率变换系统，其母线电压通常高于600V，母线电压范围在300-1000Vdc。为了给系统中的控制器、显示器、风扇以及保护供电，通常需要从高压母线取电，输出小功率5-24V直流给辅助设备供电。由于母线电压通常大于600V，因此辅助电源需要采用2个800V Si MOS构成的双管反激电路，而采用1700V SiC MOS由于可以耐更高的电压，更小的Rds(on)，可以采用1个SiC MOS构成更为简单的反激电路实现，从而大幅减小了元器件数量，设计更简单，驱动设计更容易，缩短开发周期，因此可以用于300-1000V输入的反激式拓扑中。

SiC MOS由于具有更小的开关损耗，这可使客户可以直接将装置通过散热片安装在PCB上，无需风冷散热，这极大减少了制造成本，提高了系统的可靠性。与使用硅器件相比，更小的损耗同时意味着可以工作在更高的开关频率，从而减小电源体积和重量，有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化。
 
采用1700V SiC MOS P3M173K0K3，派恩杰推出65W高压辅助电源解决方案，规格如下：
- 输入电压: 宽电压范围 300Vdc -1000Vdc
- 输出电压: 24Vdc/2.7A
- 工作频率: 100KHZ
- 拓扑: 单端反激式  

派恩杰PNJ方案相对普通Si MOSFET方案性能上有不少的提升，300V满载下效率提升将近4%。与国外竞争产品相比，PNJ推出1700V，3Ω的SiC MOS效率可以和ROHM 1700V，1Ω SiC MOS SCT2H12NZ达到相同水平。考虑到高压辅助电源，输入电流通常较小，导通损耗占比较小，开关损耗主导。派恩杰通过优化寄生电容，从而获得更小的开关损耗，采用较大的Rds(on)即可获得与国外竞品相同的效率。较大的Rds(on)，可以采用更小的芯片面积，从而降低SiC生产成本，获得价格优势。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.pnjsemi.com/newsinfo/2278353.html。（Robin Zhang, 张底剪报）    （完）