【产通社，10月27日讯】派恩杰半导体（杭州）有限公司（PN Junction Semiconductor）官网消息，其发布国了内第一款第三代碳化硅MOSFET，是拥有自主知识产权的工业级6寸1200V 80mΩ第三代碳化硅MOSFET。

 
产品特点


第三代碳化硅MOS原胞（pitch）尺寸在3.26um，比导通电阻<3.2mΩ·cm2。派恩杰的比导通电阻能达到2.8mΩ，与国际领先水平比肩。

本产品将用于充电桩，车载充电机、UPS、太阳能及风能并网、高铁、智能电网等，以高性价比、高质量及高技术优势填补国内碳化硅三极管空白市场。主要包括第五代(5G)无线网络协议、无人驾驶和自动汽车、交通电气化、增强现实和虚拟现实(AR/VR)。这些应用正在推动3D传感的应用，提高功率模块效率和更高频率的通信应用。所有这些新发展背后的关键器件都是由第三代碳化硅半导体制造而成。

以SiC碳化硅为代表的第三代半导体具有禁带宽、热导率高，击穿场强高，饱和电子漂移速率高，化学性能稳定，硬度高，抗磨损，高键和高能量以及抗辐射等优点，可广泛用于制造高温，高频，高功率，抗辐射，大功率和高密集集成电子器件，已经广泛应用于大功率高频电子器件、半导体发光二极管（LED），以及诸如5G通讯、物流网等微波通讯领域，并被列入《国家中长期科学和技术发展规划纲要》，在国民经济的发展中占有重要地位。  

在碳化硅材料方面，国内仅有少数几家从事碳化硅衬底材料和外延材料的研发工作。而在碳化硅功率器件方面，虽然清华大学、中国科学院等都有此类器件的课题研究，但主要是理论研究及实验室的研究成果。不过，国内产业正在努力赶超外国碳化硅产业。在产业链方面包括单晶衬底、外延片、器件设计、器件制造等环节近期也取得了新的进展。派恩杰团队已经成为国内半导体设计团队先驱者。


供货与报价

 
查询进一步信息，请访问官方网站http://www.pnjsemi.com/newsinfo/2278353.html。（Robin Zhang, 张底剪报）    （完）