【产通社，10月24日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官网消息，其TW070J120B新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET面向工业应用（包括大容量电源），目前已经开始出货。


产品特点


该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。

新产品采用了可提高碳化硅MOSFET可靠性的东芝第二代芯片设计生产，实现了输入电容低、栅输入电荷低、漏源导通电阻低等特性。与东芝推出的1200V硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）GT40QR21相比，TW070J120B关断开关损耗降低80%左右，开关时间（下降时间）缩短大约70%，并且能够在不超过20A[2]的漏极电流下提供低导通电压。

它的栅阈值电压被设置在4.2-5.8V的较高电压范围内，有助于减少故障风险（意外开启或关闭）。此外，内置的具有低正向电压的碳化硅肖特基势垒二极管（SBD）也有助于降低功率损耗。

在大容量AC-DC转换器、光伏逆变器、大容量双向DC-DC转换器等工业应用中，这种新型MOSFET不仅将通过降低功率损耗来达到提高效率的目的，而且也将为缩小设备尺寸做出贡献。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/top.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）     （完）