【产通社，10月7日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官网消息，其推出SSM6N951L 12V共漏极N沟道MOSFET，用于移动设备锂离子电池组中的电池保护电路。


产品特点


锂离子电池组中的电池保护电路要求电阻极低，不仅要降低充放电过程中的热损耗，而且还要同时具备高密度和高冗余度，提高保护电路自身的安全性。满足这样的要求需要小巧纤薄、导通电阻非常低的MOSFET。

东芝已开发出一种专用的微细加工技术，它具备优异的低导通电阻特性，能够满足快充等新需求。将该技术应用于SSM6N951L有助于通过降低待机功耗来延长电池使用时间，这是因为栅源漏电流较低，而且具备行业领先的低导通电阻，从而实现降低功耗。

这种新型MOSFET采用超小、超薄的芯片封装尺寸（CSP）（2.14×1.67mm厚度：典型值0.11mm），可用于电池组狭小的贴装空间中。主要特性包括：
- 行业领先[1]的低导通电阻：RSS（ON）=4.6mΩ（典型值）@VGS=3.8V；
- 行业领先[1]的低栅源漏电流：IGSS=±1μA（最大值）@VGS=±8V；
- 小型表面贴装TCSP6A-172101封装：2.14×1.67mm厚度：0.11mm（典型值）；
- 便于在电池保护电路中使用的共漏极结构。


供货与报价


新产品将于今日开始出货，东芝将继续针对此类应用开发产品。查询进一步信息，请访问官方网站http://toshiba-semicon-storage.com/cn/top.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）