【产通社，9月10日讯】宜普电源转换公司（Efficient Power Conversion Corporation，EPC）官网消息，其新一代200V氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC/DC转换器的理想功率器件。

EPC首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示：“最新一代的eGaN FET在具备更高效散热的更小型尺寸内，实现更高的性能，而且其成本与传统MOSFET器件相若。氮化镓器件必然可替代逐渐老化的功率MOSFET器件的趋势日益明显。”

得克萨斯大学奥斯汀分校的Alex Huang教授说：“氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的优越特性使得转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。”


产品特点


增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司（EPC）最新推出的两款200V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），性能更高而同时成本更低，目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔，包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器（MPPT）、DC/DC转换器（硬开关和谐振式），以及多电平高压转换器。

EPC2215（8mΩ，162 Apulsed）和EPC2207（22mΩ, 54 Apulsed）的尺寸比前代200V eGaN器件大约缩小50%，而性能却倍增。与基准硅器件相比，这两款氮化镓器件的性能更高。EPC2215的导通阻抗降低了33%，但尺寸却缩小了15倍。其栅极电荷（QG）较基准硅MOSFET器件小十倍，并且与所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真，以及实现更高效的同步整流器和电机驱动器。

EPC公司与得克萨斯大学奥斯汀分校的半导体功率电子中心（SPEC）合作开发了的400V、2.5kW、基于eGaN FET、四电平飞跨电容（FCML）图腾柱无桥整流器，适用于数据中心，它使用了最新的200V氮化镓场效应晶体管（EPC2215）。

  
报价与供货


查询进一步信息，请访问官方网站http://epc-co.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）