【产通社，9月6日讯】Transphorm公司（OTCQB股票代码：TGAN）官网消息其最新的评估板TDTTP4000W065AN为高达4kW的单相交流转直流（AC-DC）电源转换而设计，采用无桥图腾柱功率因数校正（PFC）拓扑和传统的模拟控制。这种组合使Transphorm最新的SuperGaN FET能够快速、轻松地获得一流的转换效率，且使用数字信号控制器（DSC）时无需进行固件开发。 

Transphorm全球技术营销与北美销售副总裁Philip Zuk表示：“Transphorm的模拟评估板提供了前所未有的、以最简单的方式使用我们高效GaN的机会。与之前的数字板非常相似的是，它为电源系统工程师提供了以往高压设备市场所缺少的选择。无论最终应用的针对性价值主张如何，我们都能提供各种工具集和最强大的GaN来帮助您取得成功。” 


产品特点


该高压GaN平台和相关设计工具的创新路径围绕提供一流的GaN可靠性、易设计性、易驾驶性和大批量可再现性（RDDR）。为此，TDTTP4000W065AN让电源系统工程师能够获得比使用了超结MOSFET的标准CCM Boost PFC设计更高的效率。 

该评估套件的额定值为4kW高压线（180-260V）和2kW低压线（90-120V）。模拟图腾柱解决方案的主要优势如下： 
（1）维护电源——支持加电和为芯片组供电等基本功能所需的电源——在任何系统中均为相对固定值。因此，随着应用功率电平的降低，维护电源将占系统总功率损耗的较大比例。与DSP解决方案相比，Transphorm的模拟板从一开始就需要较低的维护功率，从而提高整体系统效率。 
（2）不需要DSP固件编程，适合标准CCM升压AC-DC PFC功率级。 

对于需要更高设计灵活性的工程师，Transphorm已于今年初推出了TDTTP4000W066C。这款基于DSC的4kW交流转直流板还使用无桥图腾柱PFC及该公司的SuperGaN FET。但是，它整合了微芯科技（Microchip）的dsPIC33CK DSC板，该板已经过预编程，并由专用固件提供支撑。 

TDTTP4000W065AN在板中采用Transphorm的SuperGaN Gen IV TP65H035G4WS FET作为快速开关支路，而低电阻硅MOSFET则用在慢速开关支路中。最终的性能与其数字控制产品TDTTP4000W066C相似。 

TP65H035G4WS是采用TO-247通孔封装且导通电阻为35毫欧的650V器件，具有固有的高热耗散能力。此功能消除了将器件并联以输出更高功率的需求，而这是具有竞争力的表面贴装GaN解决方案所需的一种设计方法。而且，与所有其他Transphorm GaN器件一样，SuperGaN FET可以通过4V阈值电压（Vth）、0-12V现成的标准栅极驱动电路来驱动。 


供货与报价


TDTTP4000W065AN评估板目前可通过Digi-Key和Mouser获取。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.transphormchina.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）