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台积电举办在线技术论坛揭示最新N5、N12e、3DFabric等技术
2020/9/5 10:23:15     

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【产通社,9月5日讯】台湾集成电路制造股份有限公司(TSMC;TWSE股票代码:2330;NYSE股票代码:TSM)官网消息,其首度举办在线技术论坛及开放创新平台(Open Innovation Platform, OIP)生态系统论坛,揭示先进逻辑技术、特殊技术、三维集成电路(3DIC)系统整合解决方案、以及其完备设计实现生态系统的最新发展。

台积公司总裁魏哲家博士表示:“全球社会面临严峻考验的时刻,人们仰赖科技来彼此沟通、互相打气,我们客户的创新设计让整个世界变得更加智能化、更具连结性,台积公司致力于以最先进的逻辑技术、链接实体与数字世界的特殊制程组合、先进封装技术、以及完备的系统整合解决方案来协助客户释放创新。”

新冠肺炎疫情期间,台积公司采用在线形式进行此年度最盛大的论坛活动,与客户及生态系统伙伴们维持重要且密切的联系,共计超过5,000位人士注册参与8月24-26日期间在北美、欧洲、日本,以及中国大陆、台湾地区举行的在线技术论坛及开放创新平台生态系统论坛。

先进技术的领导地位–N5、N4、以及N3

N5技术今年已进入量产,随着产能持续拉升,良率提升的速度亦较前一世代技术快。相较于前一世代的N7技术,N5速度增快15%、功耗降低30%、逻辑密度增加达80%。奠基于N5技术,台积公司预计于2021年量产加强版的N5P制程,速度可再增快5%,功耗再降低10%。

此外,台积公司揭示了5nm家族的最新成员-N4制程,N4进一步提升效能、功耗、以及密度来满足多样化产品的需求,除了减少光罩层来简化制程,N4可借助5nm完备的设计生态系统顺利从N5升级,N4制程预计于2021年第四季开始试产,2022年进入量产。

展望下一世代技术,台积公司N3制程开发进度符合预期,将成为全球最先进的逻辑技术,相较于N5技术,N3速度增快15%,功耗降低达30%,逻辑密度增加达70%。随着半导体架构的创新,台积公司从5nm往前推进了一个全世代制程,持续保持技术的领导地位。

支持5G与人工智能时代物联网装置的N12e技术

N12e制程目前已进入试产阶段,能够提供强大的运算效能与优异的功耗效率,支持人工智能边缘运算应用。N12e将台积公司强大的FinFET晶体管技术导入边缘装置,藉由强化的超低漏电装置与静态随机存取内存,相较于前一世代的22ULL技术,N12e逻辑密度增加超过1.75倍,效能提升约1.5倍,功耗减少一半。

作为12FFC+制程的加强版,N12e适合应用于支持人工智能的物联网装置,提供强大的功能执行力,例如,理解自然语言或影像分类,同时提升功耗效率;N12e也能够支持用电池供电的强大人工智能物联网装置。 

3DFabric系统整合解决方案

台积3DFabric将快速成长的三维集成电路(3DIC)系统整合解决方案统合起来,提供无与伦比的灵活性,透过稳固的芯片互连打造出强大的系统。藉由不同的选项进行前段芯片堆栈与后段封装,3DFabric协助客户将多个逻辑芯片链接在一起,甚至串联高带宽内存(HBM),或异质小芯片,例如模拟、输入/输出、以及射频模块。

3DFabric是业界首项能够结合后段3D与前段3D技术的解决方案,提供系统整合中的强大乘数效应;同时,3DFabric能与晶体管微缩互补,持续提升系统效能与功能性,缩小尺寸外观,并且加快产品上市时程。

3DFabric包含台积公司的系统整合芯片(TSMC-SoIC)技术、CoWoS技术、以及整合型扇出(InFO)技术。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.tsmc.com.tw。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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