【产通社，10月27日讯】联华电子（UMC）消息：通过在研发上持续的承诺与努力，公司已经成功产出晶圆代工业第一个全功能28纳米制程SRAM芯片，此芯片是建立于联华电子自行开发的低漏电（low-leakage, LL）制程之上。联华电子采用先进的双重曝影（double-patterning）浸润式微影术与应变硅工程来生产此芯片，极小六晶体管SRAM组件尺寸约为0.122um²。

联华电子针对不同的市场应用产品，在28纳米制程上使用两种闸极技术。其中，针对低漏电制程采用传统硅闸极/氮氧化硅闸极氧化层技术，对于可携式应用产品例如手机芯片来说是非常理想的选择。另一方面，针对着重速度的产品例如绘图、应用处理器与高速通讯芯片，联华电子采用高介电系数闸电介质(high-k gate dielectric)/金属闸极(metal gate)之先进闸极技术。

联华电子的40纳米制程用于12吋晶圆厂生产，而28纳米制程较40纳米制程提供近两倍的密度。联华电子同时根据28纳米制程平台，亦将针对32纳米客制化制程提供晶圆专工服务。未来，联华电子研发重点会集中在供应电压极小化、应变效应之模型与自然良率上。

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