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特瑞仕半导体推出TOREX XP231P02017R P沟道MOSFET产品
2020/7/10 13:11:32     

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【产通社,7月10日讯】特瑞仕半导体株式会社(TOREX SEMICONDUCTOR LTD.;TSE东京证券交易所股票代码:6616)官网消息,其开发了MOSFET新产品XP231P02017R(-30V耐压)。


产品特点


XP231P02017R(-30V耐压)内置了栅极保护二极管作为防静电措施,是具有低导通电阻和高速开关特性的通用P沟道MOSFET产品,可用于各种机器应用,如继电器电路和开关电路。


供货与报价


封装组件采用了小型SOT-723(1.2×1.2×0.5mm),推动机器小型化。查询进一步信息,请访问官方网站http://www.torex.com.cn。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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