【产通社，7月6日讯】瑞萨电子株式会社（Renesas Electronics；TSE东京证券交易所股票代码：6723）官网消息，其推出采用突破性的SOTB（Silicon on Thin Buried Oxide薄氧化埋层覆硅）制程工艺、基于Arm Cortex-M0+内核构建的新品。该RE01群最新成员搭载256KB闪存，区别于已量产、集成了1.5MB闪存的现有产品。该全新控制器具备最小3.16mm×2.88mm WLBGA封装尺寸，且针对用于传感器控制的更紧凑的物联网设备的产品设计进行了优化，适用于智能家居、智能楼宇、环境感测（建筑物/桥梁）结构监测、跟踪器和可穿戴设备等应用。

瑞萨电子高级副总裁、物联网及基础设施事业本部SoC事业部负责人新田启人表示：“我们对RE家族产品的超低功耗获得官方认证感到非常荣幸，并希望以此推动RE产品家族得到更广泛的应用，延长嵌入式设备的电池寿命，并减轻更多客户在电池维护方面的负担。”


产品特点


新款嵌入式控制器在EEMBC ULPMark-CoreProfile（CP）认证中获得705分，充分验证了其领先能源效率。凭借瑞萨独有的SOTB制程工艺，可极大降低运行及待机电流消耗，才能取得如此高评分。

该新产品的电流消耗在工作状态下可低至25μA/MHz，待机状态下可低至400nA，其超低功耗在全球处于领先地位。用户可通过瑞萨超低Iq ISL9123作为外部降压稳压器，将工作电流消耗进一步降低至12μA/MHz。

RE具有超低功耗，可显著延长嵌入式设备的电池寿命。它们还适用于需要多个传感器的实时数据处理应用，即使由低电流紧凑型电池或能量采集设备供电也能高速运行。当前市场上具有1.5MB闪存的RE MCU适合需要大存储容量的应用，例如图像数据处理或无线更新固件等。而全新RE01产品群非常适合紧凑型设备和用于传感器控制的物联网设备。

全新RE01产品群R7F0E01182xxx的关键特性：
- Arm Cortex-M0+内核，最大工作频率64MHz；
- 256KB闪存和128KB SRAM；
- 工作电流：25μA/MHz（使用片上LDO时），12μA/MHz（使用外部DC/DC转换器时）；
- 软件待机状态消耗电流：400nA；
- 工作电压范围：1.62-3.6V；从1.62V开始，最高可达64MHz高速运行；
- 封装规格：约3×3mm 72引脚WLBGA、7×7mm 56引脚QFN、14×14mm 100引脚和10×10mm 64引脚LQFP；
- 片上能量采集控制电路（快速启动电容器充电、二次电池充电保护功能）；
- 约4μA超低功耗和14位A/D转换器；
- 支持闪存编程，功耗约为0.6mA；
- 使用TSIP内核的强大安全功能；
- 深度待机模式下，实时时钟可持续工作，1.8V供电时消耗电流为380nA。


供货与报价


新款RE01嵌入式控制器样片现已开始供货，计划于2020年7月下旬开始量产。采用LQFP封装的R7F0E01082CFM，10,000片批量时参考起价为每片3.33美元。EK-RE01 256KB评估套件计划于2020年8月下旬发布。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www2.renesas.cn/products/microcontrollers-microprocessors/re.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）