【产通社，6月21日讯】Diodes公司（NASDAQ股票代码：DIOD）官网消息，其新一代首款独立MOSFET DMN3012LEG采用轻巧封装，可提升效率，大幅节省各种电源转换与控制产品应用的成本、电力与空间。


产品特点


DMN3012LEG在单一封装内整合双MOSFET，尺寸仅3.3×3.3mm，相较于典型双芯片解决方案，电路板空间需求最多减少50%。此节省空间的特点，有利于使用负载点（PoL）与电源管理模块的一系列产品应用。DMN3012LEG可用于DC-DC同步降压转换器与半桥电源拓扑，以缩小功率转换器解决方案的尺寸。

PowerDI 3333-8 D型封装的3D结构有助增加整体功率效率，且高电压与额定电流大幅扩大其应用范围。完全接地垫片设计可带来良好的散热效能，降低整个解决方案的运作温度，还能善用高切换速度及其效率，免去大型电感器和电容器的需求。

DMN3012LEG整合两个N信道的增强模式MOSFET，非常适合用于同步降压转换器的设计。此组件使用横向扩散MOS（LDMOS）制程，结合快速导通和间断动作，Q1延迟时间仅5.1ns和6.4ns，Q2仅4.4ns和12.4ns，且Q1最大导通电阻（RDS(on)）在Vgs=5V时仅12mΩ，Q2在Vgs=5V时则是6mΩ。若闸源极电压为10V，DMN3012LEG可接受30V汲源极电压，同时支持5V闸极驱动。


供货与报价


查询进一步信息，请访问官方网站http://www.diodes.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）