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Nexperia SiGe整流器兼具肖特基和快速恢复二极管的最佳属性
2020/5/28 9:30:55     

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【产通社,5月28日讯】安世半导体(Nexperia;原恩智浦标准产品事业部)官网消息,其推出的系列反向电压为120V、150V和200V的新锗化硅(SiGe)整流器,兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。

Nexperia产品经理Jan Fischer评论道:“使用Nexperia的创新型锗化硅技术,让工程师有更多选择来设计电源电路,最终构建引领市场的产品,这是之前从未有过的。SiGe是Nexperia功率二极管产品的完美补充,该产品采用夹片粘合FlatPower(CFP)封装,包括100多个肖特基整流器和快速恢复整流器。此外,我们还将继续扩展产品组合,始终为客户提供符合其应用的产品。”


产品特点


新款1-3A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场,尤其适合高温应用,例如,LED照明、发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供扩展的安全工作区域,在不超过175°C的条件下不会发生热失控。同时,工程师也可以使用适用于高温设计的快速恢复二极管,优化设计以实现更高效率。SiGe整流器增大低正向电压(Vf)和低Qrr,使传导损耗降低10-20%。

PMEG SiGe设备(PMEGxGxELR/P)采用功率二极管行业标准的节省空间、高热效率的CFP3和CFP5封装。封装采用实心铜夹片,降低热阻,优化热传输至周围环境,使PCB更小、更紧凑。此外,使用SiGe技术,能够轻松实现肖特基和快速恢复二极管的引脚到引脚替换。


供货与报价


第一批4款符合AEC-Q101标准的120V SiGe整流器目前已进入量产阶段。更有8款150V和200V的产品现可提供样片。

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.nexperia.cn/sige-rectifiers。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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