【产通社，5月2日讯】上海南麟电子股份有限公司（Shanghai Natlinear Electronics；NEEQ股票代码：831394）2019年年度报告显示，其2019年研发费用2,645万元，较2018年2,000万元，增加32.23%。报告期内新增集成电路布图设计权登记22个，实用新型专利21个。

2019年，功率器件与IPM事业部完成第三代化合物半导体氮化镓晶体管设计流片，测试功能正常；小功率IPM模块已经完成样品试制并开始形成销售。为了加大IC 封装工艺与材料研究，公司搭建了封装结构与工艺仿真平台，并进一步配备了产品验证和可靠性实验室设备。

自建封测生产线DFN/QFN生产线已经完成小批量生产，自主研发的100mm宽超高密度ESOT23 产品线完成工程批验证，高低温在线测试技术、真空烧结技术、零内阻铝带引线技术等均取得一定进展。封测产能为每年可生产18亿只集成电路和功率器件产品。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.natlinear.com。（Shilston Zhang, 365PR Newswire）    （完）