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吉林华微电子推进IGBT、Trench MOS和超高压FRD等平台建设
2020/4/30 18:05:09     

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【产通社,4月30日讯】吉林华微电子股份有限公司(Jilin Sino-Microelectronics;股票代码:600360)2019年年度报告显示,其发挥自身产品设计、工艺设计等综合技术优势,已建立从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT国内最齐全、最具竞争力的功率半导体器件产品体系,正逐步由单一器件供应商向整体解决方案供应商转变;同时公司积极向新能源汽车、变频家电、工业和光伏新兴领域快速拓展,并已取得良好效果,为公司持续发展奠定了坚实的基础。报告期内,公司实现营业收入165,648.56万元,同比下降3.09%;实现归属于上市公司股东的净利润6,499.64万元,同比下降38.69%。

目前,中国已成为全球最大的功率半导体器件市场,伴随着国内功率器件行业技术水平的不断提升,以及新能源汽车行业的发展、高端制造的崛起,国家军民融合战略的实施与深化,使功率半导体的“中国制造”在中高端市场及国家安全领域的拓展速度在不断加快,中国的功率半导体企业迎来了难得的发展机遇。

报告期内,公司全力推进IGBT、Trench MOS、超结MOS、Trench SBD、超高压FRD等产品系列平台建设,产品性能水平持续提升。360-1350V的Trench-FS IGBT平台,已经完成全系列产品开发,在新能源汽车、变频家电、工业领域拓展进程加速;Trench SBD完成了45V、60V和100V产品的工艺平台建设和产品系列化工作,在光伏和电源领域得到充分认可。

查询进一步信息,请访问官方网站http://www.hwdz.com.cn。(robin, 张底剪报)    (完)
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 zhang_yingru
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