【产通社，4月29日讯】上海硅产业集团股份有限公司（National Silicon Industry Group Co.,Ltd.；股票代码：688126）2019年年度报告显示，其营业收入分别为149,250.98万元，归属于母公司股东的净利润、归属于母公司股东的扣除非经常性损益后的净利润分别为-8,991.45万元、-23,737.45万元，均为负值。

公司2019年继续推进《20-14nm集成电路用300mm硅片成套技术开发与产业化》等国家、地方重大科研项目及公司自研项目的研发工作，全年研发支出8,415.73万元。

对半导体级硅片规模制造而言，最具挑战的是晶体生长过程中各种晶体微缺陷（如原生晶体缺陷、氧沉淀、位错等）以及微缺陷相互作用的控制。公司的单晶生长技术可以有效的控制晶体的微缺陷密度，提高晶体质量以满足各技术节点对硅片的技术要求；有效的控制晶体中的杂质含量，特别是氧、碳含量；并最大程度降低对操作工人的依赖，保证拉制晶体质量的重复性、稳定性和一致性；同时提高产出良率，降低单晶生长成本。

SOI硅片是差异化、功能性集成电路衬底材料，其全介质隔离特征能够实现全新的、不同于抛光片和外延片的器件设计，从而达到抗辐射、高速、低功耗的技术效果。SOI硅片制造方法主要包括SIMOX技术、Bonding技术、Simbond技术以及Smart Cut生产技术。公司目前已经全面掌握了上述各SOI技术，能够采用不同SOI技术规模化生产面向汽车电子、传感器、射频器件、功率器件等应用的200mm及以下全系列SOI硅片，提供全方位SOI解决方案。

报告期内，公司针对技术发展的趋势和下游客户的要求，一方面不断提升公司产品的主要技术参数，不断向更先进技术节点的指标要求靠近。另一方面，针对客户的多元化技术要求，公司持续在生产制造工艺上进行适应性的改进和调整。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nsig.com。（Robin Zhang, 张底剪报）    （完）