【产通社，4月18日讯】扬州扬杰电子科技股份有限公司（Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.；股票代码：300373）2019年度报告显示，其整合各个事业部的研发团队，组建公司级研发中心，包含SiC JBS研发团队、IGBT研发团队、MOSFET研发团队、晶圆设计研发团队、WB封装研发团队、Clip封装研发团队、技术服务中心这7大核心团队，形成了从晶圆设计研发到封装产品研发，从售前技术支持到售后技术服务的完备的研发及技术服务体系，为公司新品开发、技术瓶颈突破、扩展市场版图等诸多方面提供强有力的保障。

公司按照国内一流电子实验室标准建设研发中心实验室，建筑面积达5000m2，分为可靠性实验室、失效分析实验室、模拟仿真实验室、综合研发实验室，是能够满足包括产品功能及环境测试，物化失效分析，产品电、热及机械应力模拟仿真等多项需求的一站式产品实验应用平台。实验室内配有适用于二极管、BJT、MOSFET、IGBT、功率模块等各系列产品的先进的研发测试设备。

报告期内，公司推行高密度引线框架及低功耗芯片项目，成功降低成本及提升性能，实现资源利用率与生产效率的双提高。成功开发50A/75A/100A-1200V半桥规格的IGBT，贡献持续稳定的销售额，是公司开拓工业领域重点变频器市场的关键举措；同时，完成了高压碳化硅产品的开发设计。 

针对已形成批量销售的Trench MOSFET和SGT MOS系列产品，大幅扩充其产品品类，实现销售规模与市场占有率的同步提升。同时，与中芯集成电路制造（绍兴）有限公司签订战略合作协议，新增又一可紧密合作的晶圆代工厂，确保公司具有充足的代工产能资源。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.21yangjie.com。（robin, 张底剪报）    （完）