【产通社，4月13日讯】聚芯芯片科技（常州）股份有限公司（Unitedchip Technology；NEEQ股票代码：833898）2019年年度报告显示，其已经取得《MOSFET封装结构及其晶圆级制作方法》的发明专利授权，将垂直结构的MOSFET下表面重掺杂区的电流引至MOSFET上表面，实现了源极、栅极、漏极在同一侧，以便进行晶圆级封装，且槽内大面积金属保证了良好的散热效果，简化了工艺步骤，降低了封装成本。

截止本期期末，公司共有10项著作权、2项发明专利和2项实用新型专利。

报告期内，其“CSP封装MOSFET及SiC MOSFET”项目入选江苏常州“龙城英才计划”第11批领军人才创业优先支持项目，该项目的技术先进性及发展前景得到了认可，项目的实施有望得到政府的大力支持。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.utc-chip.com。（robin, 张底剪报）    （完）