【产通社，3月22日讯】安世半导体（Nexperia；原恩智浦标准产品事业部）官网消息，其PESD2V8R1BS是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件，具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅（SCR）技术，USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容（低至0.1pF）；极低钳位电压动态电阻低至0.1?）以及非常稳健的防浪涌与ESD性能（最高可达20A 8/20μs）。

Nexperia产品经理Stefan Seider评论道：“为避免信号完整性问题，PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗，在10GHz时分别为-0.21dB和-17.4dB。该ESD保护器件可满足USB 3.2的较高电压要求。这意味着，该器件可放置在USB Type-C连接器后面，用于保护耦合电容，同时仍与USB3.2向后兼容。”


产品特点


TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 （SOD962）封装。这种广泛使用的0603外形尺寸能够带来诸多优势，包括电感极低，可提供快速保护，并且可集成到单片电路中，无需焊线，从而减少了机械应力和热应力。


供货与报价


PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nexperia.com/USB4protection。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）