【产通社，2月27日讯】台湾集成电路制造股份有限公司（TSMC；TWSE股票代码：2330；NYSE股票代码：TSM）官网消息，其与意法半导体（STMicroelectronics；NYSE股票代码：STM）携手，合作加速氮化镓（Gallium Nitride, GaN）制程技术的开发，并将分离式与整合式氮化镓组件导入市场。透过此合作，意法半导体将采用台积公司领先的氮化镓制程技术来生产其创新与策略性的氮化镓产品。

氮化镓是一种宽能隙半导体材料，相较于传统的硅基半导体，氮化镓能够提供显著的优势来支持功率应用，这些优势包括在更高功率获取更大的节能效益，以致寄生功耗大幅降低；氮化镓技术也容许更多精简组件的设计以支持更小的尺寸外观。此外，相较于硅基组件，氮化镓组件切换速度增快达10倍，同时可以在更高的最高温度下运作，这些强大的材料本质特性让氮化镓广泛适用于具备100伏与650伏两种电压范畴之持续成长的汽车、工业、电信、以及特定消费性电子应用产品。

具体而言，相较于硅技术，功率氮化镓及氮化镓集成电路产品，在相同制程上具备更优异的效益，能够协助意法半导体提供中功率与高功率应用所需的解决方案，包括应用于油电混合车的转换器与充电器。功率氮化镓及氮化镓集成电路技术将协助消费型与商用型汽车朝向电气化的大趋势加速前进。

意法半导体预计今年稍晚将提供功率氮化镓分离式组件的首批样品给其主要客户，并于之后数个月内提供氮化镓集成电路产品。 

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.tsmc.com/chinese。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）