【产通社，2月18日讯】安世半导体（Nexperia；原恩智浦标准产品事业部）官网消息，其新推出的PSMNR51-25YLH功率MOSFET已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件，树立了25V、0.57mΩ的新标准。典型应用包括：电池保护；直流无刷（BLDC）电机（全桥，三相拓扑）；ORing服务器电源、热插拔和同步整流。

安世半导体的功率MOSFET产品经理Steven Waterhouse表示：“借助我们最新的NextPowerS3 MOSFET，意味着电源工程师现在比以前拥有更多的选择来打造市场领先的产品——电池可以持续更长时间，电机可以提供更大扭矩，服务器可以更加可靠。”


产品特点


该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响最大漏极电流（IDmax）、安全工作区（SOA）或栅极电荷QG等其他重要参数。

很多应用均需要超低RDS(on)器件，例如ORing、热插拔、同步整流、电机控制与电池保护等，以便降低I2R损耗并提高效率。然而，某些具有类似Rdson值的同类器件，由于单元间距缩小，其SOA能力（衡量MOSFET安全工作区指标）及Idmax额定电流需要降额。

安世半导体的PSMNR51-25YLH MOSFET提供高达380A的最大额定电流。该参数对电机控制应用尤为重要，因为电机堵转或失速的瞬间可能在短时间内会导致很大的浪涌电流，而MOSFET必须承受此浪涌才能确保安全可靠的运行。一些竞争对手仅提供计算出的IDmax，但安世半导体产品实测持续电流能力高达380A。


供货与报价


该器件采用安世半导体LFPAK56封装兼容5×6mm Power-SO8封装，提供高性能铜夹结构，可吸收热应力，从而提高质量和寿命可靠性。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.nexperia.com/nextpowers3。（robin, 张底剪报）    （完）