【产通社，2月3日讯】杭州士兰微电子股份有限公司（Silan Microelectronics；股票代码：600460）官网消息，国务院2020年1月10日召开了2019年度国家科学技术奖励大会，其参与完成的“高效模数转换器和模拟前端芯片关键技术及应用”项目获得国家技术发明奖二等奖。

该项目中，公司胡铁刚先生为主要完成人之一。该项目发明了高效可配置模数转换及模拟前端芯片架构、高效误差数字校准及高精度时钟、高效模拟前端采样等技术，可应用于多维传感器、锂电管理系统等系列产品，解决了高效模数转换器及模拟前端芯片的自主可控发展难题。

士兰微电子始终重视对于半导体领域基础性技术和应用的研究，自2010年开始，士兰微电子在惯性传感器、磁传感器、压力传感器、硅麦克风传感器以及光传感器等特殊工艺的集成电路设计、制造和封测领域积累了大量经验，已申请相关发明专利百余项。公司传感器产品，已批量应用于智能手机、平板电脑、智能手环、智能门锁、行车记录仪、TWS耳机等领域。

士兰系列化的传感器产品主要有：加速度传感器、陀螺仪、多轴惯性传感器、地磁传感器、空气压力传感器、温湿度传感器、硅麦克风、接近及环境光传感器、心率传感器、电流传感器、角度及位置传感器、车用胎压传感器等。

后续，士兰微电子将继续加大对创新和研发能力的持续投入，为广大用户提供优质的产品和服务。查询进一步信息，请访问官方网站http://www.silan.com.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）     （完）