【产通社，12月28日讯】东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）消息，其推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的XPH4R10ANB，其漏极电流为70A，以及XPH6R30ANB，其漏极电流为45A。


产品特点


新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗；XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。 


供货与报价

 
东芝的首款100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装。批量生产和出货计划于已经开始。查询进一步信息，请访问官方网站http://toshiba.semicon-storage.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）