【产通社，12月7日讯】联华电子股份有限公司（United Microelectronics Corporation；NYSE股票代码：UMC；TWSE股票代码：2303）官网消息，在使用USB 2.0测试载具首次并成功通过硅验证之后，其更先进的22nm制程技术就绪。相较于一般的USB 2.0 PHY IP，用于验证的USB测试载具所使用面积为全球最小，实际展现联电坚实的22nm制程成熟度。新的芯片设计可使用22nm设计准则或遵循28nm到22奈米的转换流程（Porting Methodology），无需更改现有的28nm设计架构，因此客户可放心地使用新的芯片设计或直接从28nm移转到更先进的22nm制程。

联华电子硅智财研发暨设计支持处陈元辉处长表示：联电致力于提供世界领先的晶圆专工特殊技术，并持续推出新的特殊制程技术，用以服务于5G、物联网和车用的快速增长芯片市场。我们很高兴能为客户推出极具竞争力的22nm制程技术，主要提升性能、面积和易于设计的先进技术。

联华电子的22nm制程与原本的28nm高介电系数/金属栅极制程相比，优势在缩减10%的晶粒面积、拥有更佳的功率效能比，以及强化射频性能等特点。另外也提供了与28nm制程技术兼容的设计规则和相同的光罩数的22nm超低功耗（22uLP）版本，以及22nm超低泄漏（22uLL）版本。此22uLP和22uLL所形成的超级组合，可支持1.0-0.6V的电压，协助客户在系统单芯片（SoC）设计中同时享有两种技术的优势。22nm制程平台拥有基础组件IP支持，为市场上各种半导体应用，包括消费性电子的机顶盒、数字电视、监视器、电源或漏电敏感的物联网芯片（附带蓝牙或WiFi）和需要较长电池寿命可穿戴式产品的理想选择。

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.umc.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）