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Nexperia推出GAN063-650WSA氮化镓器件(GaN FET)
2019/11/21 17:02:28     

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【产通社,11月21日讯】安世半导体(Nexperia;原恩智浦标准产品事业部)官网消息,其最新650V功率器件GAN063-650WSA进入氮化镓场效应管(GaN)市场。GAN063-650WSA是Nexperia进入电动汽车、通信设备和工业类市场的一系列氮化镓产品中的第一款。

Nexperia的MOS业务部总经理Toni Versluijs先生表示:“这是Nexperia进入高压领域的战略,现在我们可以交付适合电动汽车应用的功率半导体技术了。我们的氮化镓技术已经可以量产,并能够灵活的扩产。汽车行业是Nexperia关注的一个重点,随着电动汽车逐渐取代传统的内燃机汽车,成为个人和公众出行的首选,预计未来二十年,电动汽车销量将迎来大幅增长。”


产品特点


这款器件非常耐用,栅极电压(VGS)为+/-20V,工作温度范围为-55至+175°C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on)仅为60mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。

Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperia硅基氮化镓采用非常可靠耐用的工艺,是质量和可靠性久经考验的成熟技术。再加上其可以使用现有的硅晶圆加工设备,因此晶圆加工产能的可扩展性很强。另外,此器件采用行业标准TO-247封装,客户可受益于以熟悉的封装来获得卓越的氮化镓性能。


供货与报价


查询进一步信息,请访问官方网站http://efficiencywins.nexperia.cn/innovation/gan-introduction.html。(Lisa WU, 365PR Newswire)    (完)
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