【产通社，11月16日讯】Transphorm公司消息，其已交付了逾50万高压GaN FET。这一里程碑的实现归因于客户对其高质量、高可靠性GaN平台的不断采用。

许多工业、基础设施、IT和PC游戏市场的客户已经公开宣布了使用Transphorm的GaN技术制造的在产设备。这说明了人们对于GaN解决方案的信心日益增强，预计它将成为一个有吸引力的市场。

事实上，现已属于Informa Tech旗下的行业分析公司IHS Markit Technology预测，GaN电源分立器件、模块和系统IC的总收入到2028年将达到12亿美元，其中约7.5亿美元（占整个市场的近2/3）来自于高压GaN解决方案1。

Transphorm联合创始人兼首席运营官Primit Parikh表示：“在业界普遍使用单芯片常关硅MOSFET的时候，我们就推出了最强大的两芯片常关器件。正如我们众所周知的发展势头以及消费类适配器领域中其他知名制造商（如Power Integrations）所证明的那样，两芯片常关GaN解决方案是当今最实用的高压GaN FET设计。事实上，正是这种设计才使Transphorm的GaN实现了高性能和高可靠性，获得了迄今为止超过50亿小时（<2 FIT）的现场可靠性数据。”

Transphorm产品的成功很大程度上还是归因于其产品的质量和可靠性（Q+R）。这种Q+R以该公司强大的常关型GaN平台、对外延工艺的强大控制以及制造能力为后盾——可以很好地满足从消费型适配器到汽车等各种跨行业市场的数量和质量要求。这些因素的综合使该公司能够生产具备空前可靠性、可设计性、可驱动性和可再现性的GaN FET。

Transphorm全球技术营销兼北美销售副总裁Philip Zuk表示：“在GaN的目标核心高功率市场中取得成功之后，我们还正与快速增长的半导体落后市场（如消费类适配器和机顶盒）的客户合作，因为到目前为止，我们已经交付的大多数产品都针对的是更高功率的应用。超过50万的650V FET相当于400多万低功率（低于100瓦）FET，这证明了我们的批量生产能力。”

查询进一步信息，请访问官方网站http://www.transphormchina.com。（Donna Zhang, 张底剪报）    （完）