【产通社，11月2日讯】安世半导体（Nexperia；原恩智浦标准产品事业部）官网消息，静电放电（ESD）和电磁干扰（EMI）是面临的主要设计挑战，特别是涉及易受静电放电（ESD）损害的现代高速和超高速接口的情况下。然而，在不影响系统性能的情况下，还同时兼顾ESD保护和EMI滤波则使设计变得更加复杂。在充分了解防止快速高压浪涌或较低极端电压电平的较长脉冲挑战之后，设计人员可以从一开始就采用最有效的ESD拓扑结构。
 
本ESD应用手册提供了有关ESD原因、故障症状以及确保设计获得充分保护的必要步骤等重要信息，甚至考虑了最灵敏接口的情形。它借鉴了Nexperia在该技术领域的广泛知识经验，包括我们在测试设计和故障分析方面所做的工作。还介绍了科学的ESD保护器件选择过程，解决了耗时且不一定能找到最佳解决方案的试错测试问题。



ESD设计工程师指南目录如下：
- ESD保护器件的数据手册参数；
- ESD测试标准和TLP测试；
- ESD保护原理；
- SEED（高效的系统级ESD设计）；
- 利用共模滤波器实现EMI滤波；
- 因ESD和浪涌事件造成的故障症状；
- 接口和应用。

ESD设计工程师指南提供纸质版，更好地了解ESD保护拓扑结构和故障症状，以及现代接口的测试和仿真。

查询进一步信息，请访问官方网站http://efficiencywins.nexperia.cn/efficient-products/the-power-mosfet-design-engineers-guide.html。（Lisa WU, 365PR Newswire）    （完）